該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析，然后