半導(dǎo)體冷熱沖擊試驗(yàn)箱:可靠性與環(huán)境適應(yīng)性
一、產(chǎn)品概述
半導(dǎo)體冷熱沖擊試驗(yàn)箱:可靠性與環(huán)境適應(yīng)性
二、核心優(yōu)勢(shì)
三、技術(shù)參數(shù)
項(xiàng)目 | 參數(shù)詳情 |
溫度范圍 | 高溫箱:RT+10℃~150℃;低溫箱:-70℃~RT-10℃ |
溫度波動(dòng)度 | ±0.5℃ |
溫度均勻度 | ≤2℃ |
濕度范圍 | 20%~98% RH(部分型號(hào)支持) |
沖擊溫度恢復(fù)時(shí)間 | ≤5min |
樣品承載 | 定制化樣品架,承重可達(dá) [X] kg |
制冷系統(tǒng) | 二元復(fù)疊式制冷,環(huán)保制冷劑 R404A+R23 |
樣品準(zhǔn)備:將半導(dǎo)體芯片、封裝模塊等樣品固定于試驗(yàn)箱樣品架,連接電性能監(jiān)測設(shè)備;
參數(shù)設(shè)置:依據(jù)測試標(biāo)準(zhǔn)(如 JEDEC JESD22-A113)設(shè)定溫度沖擊范圍、循環(huán)次數(shù)、駐留時(shí)間;
啟動(dòng)測試:設(shè)備自動(dòng)執(zhí)行冷熱沖擊循環(huán),實(shí)時(shí)記錄樣品溫度、電性能數(shù)據(jù);
結(jié)果分析:測試完成后,結(jié)合微觀檢測(如 SEM 分析)定位失效點(diǎn),評(píng)估產(chǎn)品可靠性。
(二)典型應(yīng)用場景
芯片可靠性驗(yàn)證:檢測晶圓級(jí)封裝(WLP)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)在高低溫沖擊下的焊點(diǎn)疲勞壽命;
功率器件測試:驗(yàn)證 IGBT 模塊、MOSFET 在溫度下的電氣性能穩(wěn)定性;
汽車半導(dǎo)體測試:滿足 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),確保車載芯片在復(fù)雜氣候環(huán)境下的可靠運(yùn)行;
5G 通信芯片測試:模擬基站設(shè)備戶外高低溫環(huán)境,評(píng)估芯片信號(hào)傳輸穩(wěn)定性。