單晶硅壓力變送器
隨著微電子機械加工系統技術的日趨成熟而為傳感器行業(yè)帶來一場新的革命，對于壓力、差壓、液位傳感器而言，其封裝的傳感器芯片本質將決定最終產品的性能與等級。以目前國際市場上廣泛采用的硅芯片技術而言，硅壓阻技術加工工藝成熟，但其信噪比特性與溫度特性有待提高；硅諧振技術加工工藝復雜過壓特性不好；本公司3351J系列單晶硅壓力變送器芯片采用超高純度單晶硅材質，其材質特性優(yōu)于市場上通用的復合硅、擴散硅材料，芯片采用德國的單晶硅雙梁懸浮式技術，結合了硅壓阻與硅諧振技術雙方特點，并從設計與工藝上做出了創(chuàng)新性優(yōu)化，實現高精度、高穩(wěn)定性、低溫度影響、超高過壓等優(yōu)異性能，*適用于工業(yè)過程控制、自動化制造、航天航空、汽車與船舶、醫(yī)療衛(wèi)生等多個領域。
一、單晶硅壓力變送器性能特點：
1、高純度單晶硅材質，有效提高產品壽命及長期穩(wěn)定性
2、雙惠斯通電橋設計，“雙梁”電阻溫度特性互補，提高芯片抗*力
3、LCD帶背光顯示數字表頭可以顯示壓力、百分比和電流及模擬指示
4、通過按鍵組合操作能實現調零和調滿功能，以及數據恢復功能，方便了現場調試
5、信號轉換、信號采集與處理及電流輸出控制采用了一體化專用集成電路（ASICS）使智能變送器具有高穩(wěn)定、高可靠、高抗震等特點，并具有良好的互換性
二、單晶硅壓力變送器技術參數：
產品型號：ZH3351JGP-單晶硅夾板式壓力變送器ZH3351JTG-單晶硅直裝式壓力變送器
測量原理：單晶硅懸浮式
適用場合：水壓、油壓、氣壓、負壓
測量范圍：0~40MPa量程可選
測量精度：±0.25%；±0.1%；±0.075%
電源：DC10.5~45V
輸出：DC4~20mA+HART
顯示方式：液晶
三、單晶硅壓力變送器產品選型：
| ZH3351J | 單晶硅壓力變送器 | |||||||||
| 結構形式 | GP | 智能夾板式 | ||||||||
| TG | 智能直裝式 | |||||||||
| 量程范圍 | 代碼 | 量程單位 | ||||||||
| KPa | InH2O | mBar | mmH2O | |||||||
| CP3 | 0~10 | 0~40 | 0~100 | 0~1000 | ||||||
| CP4 | 0~40 | 0~160 | 0~400 | 0~4000 | ||||||
| CP5 | 0~100 | 0~400 | 0~1000 | 0~10000 | ||||||
| CP6 | 0~400 | 0~1600 | 0~4000 | 0~40000 | ||||||
| CP7 | 0~4×103 | 0~16×103 | 0~40×103 | 0~400×103 | ||||||
| CP8 | 0~10×103 | 0~40×103 | 0~100×103 | 0~1000×103 | ||||||
| CP9 | 0~40×103 | 0~160×103 | 0~400×103 | 0~4000×103 | ||||||
| 輸出信號 | S | 4~20Ma+HART協議 | ||||||||
| T | 特殊要求 | |||||||||
| 精度等級 | I75 | 0.075%± | ||||||||
| I1 | 0.1%± | |||||||||
| I2 | 0.25%± | |||||||||
| 顯示方式 | M3 | 液晶顯示 | ||||||||
| 連接型式及尺寸 | R | M20*1.5（TG型） | ||||||||
| C2 | 丁字形螺紋接頭M20×1.5，帶Ф14焊接引壓管（GP型） | |||||||||
| Y | 用戶約定 | |||||||||
| 安裝支架型式（GP型） | B1 | 管裝彎支架 | ||||||||
| B2 | 板裝彎支架 | |||||||||
| B3 | 管裝平支架 | |||||||||
| 隔爆等級 | B | ExdiiCT6 | ||||||||
